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FGH40T120SQDNL4
IGBT，超场截止 FGH40T120SQDNL4
- 描述
- 此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构，在要求较高的开关应用中提供卓越的性能，还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管，带有较低正向电压。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGH40T120SQDNL4
- 商品编号
- C475770
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 454W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.78V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 221nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 5nF | |
| 输出电容(Coes) | 140pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 80pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 46ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 220ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 166ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
- FGH40T65SPD-F155
- FGH60N60SMD-F085
- FGH60N60UFDTU-F085
- NGTB40N120S3WG
- MSH2512N2W0R002F
- MSH2512N2W0R003F
- MSH2512N2W0R004F
- MSH2512F2W0R005F
- MSH2512N2W0R006F
- MSH2512N2W0R007F
- MSH2512N2W0R008F
- ERG1VM222L30OT
- EML1HM4R7C07C33T
- SPZ0JM122E11P25RAXXX
- SPZ0JM122F11O00RAXXX
- ERS1HM681K18C36T
- SPZ0JM102F11O00RAXXX
- #A920CY-100M=P3
- GCM3195C1H223JA16D
- IML-0688G
- LFB2H2G45CC1D005