温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
YFWG40T65HAP
650V N沟道增强型功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
- 描述
- P:5000W VRWM:5.0V-220V GPP芯片
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFWG40T65HAP
- 商品编号
- C45662253
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 160A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 50uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@40A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.48nF@30V | |
| 输出电容(Coes) | 95pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 21pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 28ns；32ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns；128ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.6mJ；1.2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 600uJ；900uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 82ns；130ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽和场截止技术
- 易于并联开关能力
应用领域
- 功率因数校正应用
- 不间断电源
- 太阳能逆变器