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YFW50P03DF
-30V P沟道增强型MOSFET
- 描述
- 内置偏置电阻器可配置逆变器电路、不连接外部输入电阻器（见等效电路）、偏置电阻器由薄膜电阻器组成，具有完整的隔离以允许输入的负偏置。他们也有几乎完全消除寄生效应的优点、只需设置开/关条件即可运行，使设备设计简单
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW50P03DF
- 商品编号
- C45662255
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
YFW50P03DF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 结温175 °C
- TrenchFET功率MOSFET
- N沟道MOSFET
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源