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YFW80N03AD
30V N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 先进的沟槽技术、出色的 RDS（ON） 和低栅极电荷
- 品牌名称
- YFW(佑风微)
- 商品型号
- YFW80N03AD
- 商品编号
- C45662254
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44464克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.788nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
40N20P采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。 这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
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