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S-LMUN5313DW1T1G

S-LMUN5313DW1T1G

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商品型号
S-LMUN5313DW1T1G
商品编号
C45366049
商品封装
SC-88​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)250mW
晶体管类型NPN+PNP
直流电流增益(hFE)-
射基极击穿电压(Vebo)-
最小输入电压(VI(on))-
属性参数值
最大输入电压(VI(off))-
输出电压(VO(on))-
输入电阻61.1kΩ
电阻比率1.2
工作温度-
集射极饱和电压(VCE(sat))250mV@10mA,0.3mA
特征频率(fT)-
集电极截止电流(Icbo)100nA

商品特性

  • 简化电路设计
  • 减少电路板空间
  • 减少元件数量
  • 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤
  • S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件

数据手册PDF