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S-LP80N04D2引脚图
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S-LP80N04D2

S-LP80N04D2

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商品型号
S-LP80N04D2
商品编号
C45366636
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)95A
耗散功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.8V
栅极电荷量(Qg)151nC
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))沟槽技术
  • 低热阻
  • 快速开关速度
  • 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
  • S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。

应用领域

  • 负载开关
  • 直流-直流转换
  • 电机驱动

数据手册PDF