TPM2003-TS3R

TPM2003是一款高压、大电流NMOS晶体管阵列。该器件由七个具有高压输出的低端NMOS晶体管通道和用于感性负载的续流二极管组成。 单个NMOS通道的最大漏极电流额定值为500 mA。该器件支持1.8 V至30 V的宽I/O电压范围。晶体管可以并联驱动以获得更高的电流能力。增强的ESD性能提高了系统级可靠性。 TPM2003可以取代传统的双极达林顿阵列，具有更好的热效率和可靠性。

• 7通道达林顿阵列
• 额定漏极电流500 mA（每通道）
• 极低输出泄漏电流，每通道小于10 nA
• 低导通电阻，功率效率高
• 扩展温度范围：TA = –40°C ~ 125°C
• 高压输出：40 V
• 与1.8 V至5.0 V逻辑接口兼容
• 集成用于感性负载的续流二极管
• 集成RC滤波器，提高抗噪能力
• 增强的ESD保护超过JESD 22标准 - 2.5 kV HBM、1.5 kV CDM
• 提供SOP16和TSSOP16封装

• 感性负载
  • 继电器
  • 单极步进电机和有刷直流电机
  • 螺线管和阀门
• LED指示灯
• 逻辑电平转换
• 栅极和IGBT驱动