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JMTL3415K
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性：VDS=-20V, ID=-4A。 RDS(ON)=38mΩ (Typ.) @ VGS = -4.5V。 RDS(ON)=48mΩ (Typ.) @ VGS = -2.5V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用：PWM 应用。 负载开关
- 品牌名称
- JJW(捷捷微)
- 商品型号
- JMTL3415K
- 商品编号
- C466026
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20 V,漏极电流(ID) = -4 A
- 栅源电压(VGS) = -4.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) = 38 mΩ(典型值)
- 栅源电压(VGS) = -2.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) = 48 mΩ(典型值)
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 静电放电等级:人体模型(HBM)2.0KV
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- 电源管理