LMG3100R017VBER

LMG3100R017VBER

描述

该产品是一款连续电压100V、脉冲电压120V的氮化镓（GaN）场效应管（FET），集成了驱动器。有两种导通电阻（Rds(on)）和最大电流的变体。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，并且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小。驱动器和GaN FET安装在一个完全无键合线的封装平台上，可最大限度地减少封装寄生元件

品牌名称

TI(德州仪器)

商品型号

LMG3100R017VBER

商品编号

C44990765

商品封装

VQFN-FCRLF-15(4x6.2)​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)