LMG3100R017VBER

具有集成驱动器的100V GaN FET

描述: 该产品是一款连续电压100V、脉冲电压120V的氮化镓（GaN）场效应管（FET），集成了驱动器。有两种导通电阻（Rds(on)）和最大电流的变体。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，并且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小。驱动器和GaN FET安装在一个完全无键合线的封装平台上，可最大限度地减少封装寄生元件
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LMG3100R017VBER
商品编号: C44990765
商品封装: VQFN-FCRLF-15(4x6.2)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 100V 连续、120V 脉冲氮化镓 (GaN) FET。该器件提供两种 Rds(on) 和最大电流型号，即 126A/1.7mΩ(LMG3100R017) 和 46A/4.4mΩ (LMG3100R044)。该器件包含一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。LMG3100 包含一个高侧电平转换器和自举电路，因此两个 LMG3100 器件可用于形成半桥，而无需额外的电平转换器。GaN FET 在功率转换方面反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。驱动器和 GaN FET 均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100 器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。无论 VCC 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。该器件配有用户友好型接口，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

商品特性

集成式 1.7mΩ (LMG3100R017) 或 4.4mΩ(LMG3100R044) GaN FET 和驱动器
100V 连续 120V 脉冲式电压额定值
集成了高侧电平转换和自举
两个 LMG3100 可构成一个半桥，无需外部电平转换器
5V 外部辅助电源
支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
高压摆率开关，低振铃
栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
内部自举电源电压钳位，可防止 GaN FET 过驱动
电源轨欠压锁定保护
低功耗
封装经过优化，便于 PCB 布局
外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热
底部大型外露焊盘，实现底面散热

应用领域

降压、升压和降压/升压转换器
LLC 转换器
光伏逆变器
电信和服务器电源
电机驱动器
电动工具
D 类音频放大器

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	工作电压	4.75V~5.25V

	属性	参数值
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.87V
	输入低电平(VIL)	1.76V
	静态电流(Iq)	125uA
	功能特性	内置自举二极管