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NSVJ3557SA3T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NSVJ3557SA3T1G

300mV@100uA

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描述
NSVJ3557SA3 是一款具有低噪声放大 (LNA) 功能的单 N 沟道结型FET,适用于汽车天线应用。该器件具有高正向转移导纳和低噪声特性,与目前的 JFET 相比,具有高 ESD 抗扰度。此器件通过 AEC-Q101 认证,符合生产件批准程序 (PPAP),适用于汽车应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NSVJ3557SA3T1G
商品编号
C463875
商品封装
SC-59-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.061克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录结型场效应管(JFET)
数量-
栅源截止电压(VGS(off))300mV
栅源击穿电压(Vgss)15V
耗散功率(Pd)200mW
导通电阻(RDS(on))-
漏源电流(Idss)10mA
属性参数值
输入电容(Ciss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)-
反向传输电容(Crss)2.9pF
FET类型N沟道

数据手册PDF