温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CPC5602CTR
1个N沟道 耐压:350V 电流:5mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用专有第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济的硅栅工艺中实现了高电压MOSFET性能。垂直DMOS工艺使器件具有高可靠性，尤其在电信、安全和电源等应用环境中。典型导通电阻为8Ω，漏源电压为350V，采用SOT-223封装。FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- CPC5602CTR
- 商品编号
- C461289
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@0.35V,50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单