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CPC5602CTR
1个N沟道 耐压:350V 电流:5mA
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- 描述
- 是N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用专有第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济的硅栅工艺中实现了高电压MOSFET性能。垂直DMOS工艺使器件具有高可靠性，尤其在电信、安全和电源等应用环境中。典型导通电阻为8Ω，漏源电压为350V，采用SOT-223封装。FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- CPC5602CTR
- 商品编号
- C461289
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@350mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CPC5602是一款N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济的硅栅工艺中实现了高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺生产出的器件可靠性高，尤其适用于电信、安防和电源等复杂应用环境。 CPC5602的主要应用之一是作为LITELINK系列数据接入装置（DAA）设备的线性稳压器/摘机开关。 CPC5602的典型导通电阻为8Ω，漏源电压为350V，采用SOT - 223封装。与所有MOS器件一样，FET结构可防止热失控和热致二次击穿。
商品特性
- 350V漏源电压
- 耗尽型器件在低温下提供低RDS(on)
- 低导通电阻:25°C时典型值为8Ω
- 低VGS(off)电压:-2.0V至 - 3.6V
- 高输入阻抗
- 低输入和输出泄漏电流
- 小封装尺寸SOT - 223
- 与PC卡(PCMCIA)兼容
- 节省PCB空间和成本
应用领域
- LITELINK数据接入装置(DAA)的支持组件
- 电信
- 常开开关
- 点火模块
- 转换器
- 安防
- 电源