温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXFH88N30P
1个N沟道 耐压:300V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：国际标准封装。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 低封装电感。 高功率密度。应用：DC-DC转换器。 电池充电器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFH88N30P
- 商品编号
- C461318
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF |
商品特性
- DIOFET采用独特的专利工艺，将MOSFET和肖特基二极管单片集成在单个管芯中，以实现
- 低导通电阻RDS(on) — 最小化传导损耗
- 低正向压降VSD — 减少体二极管结构带来的损耗
- 低反向恢复电荷Qrr — 集成肖特基二极管的低Qrr可降低体二极管开关损耗
- 低栅极电容比（Qg / Qgs） — 降低高频下直通或交叉传导电流的风险
- 雪崩耐受性强 — 有雪崩电流IAR和雪崩能量EAR额定值
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，为“绿色”器件
- 通过AEC - Q101标准认证，具备高可靠性