TLP785(GB-TP6,F
DC输入 隔离电压(rms):5000V
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- 描述
- 由与砷化镓 (GaAs) 红外发射二极管光耦合的硅光电晶体管组成,采用四引脚塑料 DIP (DIP4) 封装,具有高隔离电压 (交流:5kVRMS (最小值))。TLP785F 是 TLP785 的长爬电表面贴装引脚成型类型。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TLP785(GB-TP6,F
- 商品编号
- C45445
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | - | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.15V | |
| 输出电流 | 50mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 负载电压 | 80V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV@2.4mA,8mA | |
| 上升时间(tr) | 2us | |
| 下降时间 | 3us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 50% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | 600% |
商品概述
东芝TLP785由一个硅光电晶体管和一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管通过光耦合组成,采用四引脚塑料双列直插式封装(DIP4),具有高隔离电压(交流:5kVRMS(最小值))。TLP785F是TLP785的长爬电距离表面贴装引脚成型类型。
商品特性
- TLP785:间距为7.62mm的DIP4封装
- TLP785F:间距为10.16mm的DIP4封装
- 集电极 - 发射极电压:80V(最小值)
- 电流传输比:50%(最小值),GB等级:100%(最小值)
- 隔离电压:5000Vrms(最小值)
- 通过UL认证:UL1577,文件编号E67349
- 正在申请BSI认证:BS EN60065:2002、BS EN60950 - 1:2006;正在申请SEMKO认证:EN60065:2002、EN60950 - 1:2001、EN60335 - 1:2002;可选(D4)型通过VDE认证:DIN EN60747 - 5 - 2
应用领域
- 办公设备
- 家用电器
- 固态继电器
- 开关电源
- 各种控制器
- 不同电压电路之间的信号传输
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