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SI5517DU-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:6A 停产
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- 描述
- N沟道,20V,6A,0.039Ω@4.5V P沟道,-20V,-6A,0.072Ω@-4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5517DU-T1-GE3
- 商品编号
- C459179
- 商品封装
- PowerPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 455pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK ChipFET封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 厚度仅0.8 mm
应用领域
- 便携式设备的互补MOSFET
- 非常适合用于升降压电路