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G070N06TH
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：110A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：5.1mΩ@10V @@封装：TO-220
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G070N06TH
- 商品编号
- C44060670
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 335pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |