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G80N03T
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：30V@@连续漏极电流(Id)：90A@@阈值电压(Vgs(th))：2.0V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.6mΩ@10V 5.3mΩ@4.5V @@封装：TO-220
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G80N03T
- 商品编号
- C44063480
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 312pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
G80N03T采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS 30V
- ID(VGS = 10 V时)90A
- RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 4 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 7 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器