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G80N03T
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：30V@@连续漏极电流(Id)：90A@@阈值电压(Vgs(th))：2.0V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.6mΩ@10V 5.3mΩ@4.5V @@封装：TO-220
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G80N03T
- 商品编号
- C44063480
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 53.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 低热阻封装
- 符合RoHS标准