温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G6N90F
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：900V@@连续漏极电流(Id)：6A@@阈值电压(Vgs(th))：5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.5mΩ@10V @@封装：TO-220F
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G6N90F
- 商品编号
- C44063141
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款先进的MOSFET系列优化了导通电阻,还具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于高效开关模式电源。
商品特性
- 漏源电压(VDS):900V
- 漏极电流(ID)(栅源电压VGS = 10V时):6A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):< 3Ω
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐