- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IAUCN08S7N024TATMA1
N沟道 80V 186A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN08S7N024TATMA1
- 商品编号
- C42667621
- 商品封装
- LHDSO-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 186A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 157W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.73nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.514nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOSTM功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 超出AEC - Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高260°C峰值回流的MSL1
- 175°C工作温度
- 符合RoHS标准
- 100%雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用。