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IPI045N10N3 G
1个N沟道 耐压:100V
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- 描述
- 特性：N- 沟道，标准电平。出色的栅极电荷 × 导通电阻乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。175°C 工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。非常适合高频开关和同步整流。根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI045N10N3 G
- 商品编号
- C445495
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 137A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 214W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.21nF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 175 °C工作温度
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 按照JEDEC标准针对目标应用进行认证
- 非常适合高频开关和同步整流
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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