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10N10Q
N沟道100V快速开关MOSFET
- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 有环保型器件。 出色的Cdv/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 10N10Q
- 商品编号
- C42461024
- 商品封装
- SOT-89-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1731克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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