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2020S
N沟道20V快速开关MOSFET
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- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 提供环保器件。 出色的CdV/dt效应衰减。 100%保证EAS。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 2020S
- 商品编号
- C42461026
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.832nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 271pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 289pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 保证EAS >100%
- 先进的高单元密度沟槽技术