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120P03T
P沟道，30V快速开关MOSFET
- 描述
- 特性：超低栅极电荷。 100%保证EAS。 有环保器件可选。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：DC-DC转换器。 同步整流应用
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 120P03T
- 商品编号
- C42460933
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.93克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 540pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 820pF |
商品概述
40P04是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P04符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 保证100%的单脉冲雪崩耐量
- 提供环保型器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术