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XRS120N15实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XRS120N15

N沟道快速开关MOSFET,采用分裂栅沟槽MOSFET技术,散热封装出色,低导通电阻

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品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS120N15
商品编号
C42457104
商品封装
TO252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)175.6W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)45nC
属性参数值
输入电容(Ciss)3.31nF
反向传输电容(Crss)9.4pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)268pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 分裂栅沟槽MOSFET技术
  • 出色的散热封装
  • 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电源管理功能
  • 同步整流应用

数据手册PDF