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XRS120N10G
N沟道100V快速开关MOSFET
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- 描述
- 特性：Split Gate Trench MOSFET technology。 优秀的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRS120N10G
- 商品编号
- C42457081
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 592pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
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