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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

XRS150N10G

N沟道100V快速开关MOSFET

描述
特性:分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:DC-DC转换器。 电源管理功能
品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS150N10G
商品编号
C42457083
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)150A
导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)312W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)84nC@50V
输入电容(Ciss)4.797nF
反向传输电容(Crss)19.1pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

XRS1005是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。 XRS1005符合RoHS和绿色产品要求,且具备经过认证的全功能可靠性。

商品特性

  • 分裂栅沟槽MOSFET技术
  • 出色的散热封装
  • 用于降低RDS(ON)的高密度单元设计

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 电源管理功能
  • 同步整流应用

数据手册PDF