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XRS30V06D
双N沟道60V MOSFET
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- 描述
- 特性：Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRS30V06D
- 商品编号
- C42457041
- 商品封装
- DFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111835克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
XR30P06是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR30P06符合RoHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术