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XR20P02M
P沟道20V快速开关MOSFET
- 描述
- 高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，具备全功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR20P02M
- 商品编号
- C42456899
- 商品封装
- DFN2020-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
XR25P01M 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR25P01M 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术