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XR20P70F
P沟道 18V 70A
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- 描述
- 高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR20P70F
- 商品编号
- C42456892
- 商品封装
- PDFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 659pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
XR20P70F 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR20P70F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术