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XR100N20H
N沟道200V快速开关MOSFET
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- 描述
- 高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR100N20H
- 商品编号
- C42456886
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.693333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 272W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 134nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
XR100N20H是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR100N20H符合RoHS和绿色产品要求，100%经过易感性测试（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%通过易感性测试（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术