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XR50N10H
N沟道100V快速开关MOSFET
- 描述
- 是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR50N10H
- 商品编号
- C42456871
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 153W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.211nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 163pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 232pF |
商品概述
XR50N10L是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR50N10L符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术