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XR30N10B
N沟道100V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整功能可靠性。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR30N10B
- 商品编号
- C42456867
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@80V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 0.2 A
- 当栅源电压（VGS） = 10 V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 2.1 Ω
- 当栅源电压（VGS） = 4.5 V 时，导通电阻（RDS(ON)） < 2.7 Ω
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 产品无铅
- 静电放电（ESD）保护：2 KV
应用领域
- 电池供电系统
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 固态继电器