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XR7002KW
双N沟道60V快速开关MOSFET
- 描述
- 特性：VDS = 60V，ID = 0.2A。 RDS(ON) < 2.1Ω，VGS = 10V。 RDS(ON) < 2.7Ω，VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用：电池供电系统。 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR7002KW
- 商品编号
- C42456851
- 商品封装
- SOT363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR5N10Q是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR5N10Q符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过易感性雪崩耐量（EAS）测试，并通过全功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术