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XR2SK3019
N沟道60V快速开关MOSFET
- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(on)），在栅源电压（VGS）为 10V 时。 5V 逻辑电平控制。 N 沟道 SOT523 封装。 HMB ESD 保护 1KV。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：LED 照明应用。 开关
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR2SK3019
- 商品编号
- C42456829
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC | |
| 输入电容(Ciss) | 1pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3pF |
商品特性
- 在VGS = 10 V时具有低导通电阻RDS(on)
- 5V逻辑电平控制
- N沟道SOT523封装
- 具备1KV的HMB静电防护
- 无铅，符合RoHS标准
应用领域
- LED照明应用
- 开关
- 网络