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XR150N06H
N沟道60V快速开关MOSFET
- 描述
- 高性能互补N沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR150N06H
- 商品编号
- C42456840
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,56A | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.515nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 343pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
XR30N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。XR30N06符合RoHS和绿色产品要求，100%保证耐雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证耐雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术