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XR8814A
双N沟道20V快速开关MOSFET
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- 描述
- 是低RDSON trenched NCH MOSFETs，具有强大的ESD保护功能。该产品适用于锂离子电池组应用，符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR8814A
- 商品编号
- C42456727
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 955pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
XR40N02是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 XR40N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100%保证抗雪崩能力（EAS）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术