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SC059N120J4实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SC059N120J4

1200V N沟道功率MOSFET

商品型号
SC059N120J4
商品编号
C42455960
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
8.134克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)43A
导通电阻(RDS(on))72mΩ@15V
属性参数值
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))4V
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-40℃~+175℃

商品概述

JTD2307A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压(VDS):1200V
  • 漏极电流(ID):43A
  • 导通电阻(RDS(ON)):59 mΩ
  • 封装:TO-247-4

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF