温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SC059N120J4
1200V N沟道功率MOSFET
- 品牌名称
- DIYI(迪一/芯诺)
- 商品型号
- SC059N120J4
- 商品编号
- C42455960
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±22V |
商品概述
JTD2307A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS):1200V
- 漏极电流(ID):43A
- 导通电阻(RDS(ON)):59 mΩ
- 封装:TO-247-4
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理