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SC059N120J3
1200V、43A N沟道功率MOSFET
- 品牌名称
- DIYI(迪一/芯诺)
- 商品型号
- SC059N120J3
- 商品编号
- C42455963
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 234W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±22V |
商品概述
JSM3N150G 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。
商品特性
- 漏源电压(VDS):1200V
- 漏极电流(ID):43A
- 导通状态漏源电阻(RDS(ON)):59 mΩ
- 封装:TO-247-3