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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SC059N120J3

1200V、43A N沟道功率MOSFET

商品型号
SC059N120J3
商品编号
C42455963
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
7.836克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)43A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))72mΩ@15V
耗散功率(Pd)234W
阈值电压(Vgs(th))4V@5mA

商品概述

JSM3N150G 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。

商品特性

  • 提供环保器件
  • 超低栅极电荷
  • 出色的 Cdv/dt 效应抑制
  • 先进的高单元密度沟槽技术

数据手册PDF