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HGV8551DQ/TR
1.8MHz Zero-Drift CMOS Rail IO Opamp with
- 描述
- 1.8MHz Zero-Drift CMOS Rail IO Opamp with
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HGV8551DQ/TR
- 商品编号
- C42456072
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145235克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 精密运放 | |
| 放大器数 | 单路 | |
| 单电源电压 | 1.8V~5.5V | |
| 双电源(Vee~Vcc) | 900mV~2.75V；-2.75V~-900mV | |
| 输入失调电压(Vos) | 1uV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 10nV/℃ | |
| 增益带宽积(GBW) | 1.8MHz | |
| 轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 | |
| 压摆率(SR) | 0.95V/us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 共模抑制比(CMRR) | 110dB | |
| 输入电压噪声密度(eN) | 38nV/√Hz@1kHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 20pA | |
| 静态电流(Iq) | 180uA | |
| 输出电流 | 65mA | |
| 输入失调电流(Ios) | 10pA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | EMI滤波/RF抑制；零漂移/自动稳零 |