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TP65H070G4LSGB-TR-CN
650V GaN FET
- 描述
- FET是混合常关型氮化镓 (GaN) 场效应晶体管，拥有市场上所有宽带隙器件中最强的栅极和最低的反向电压降。它们允许简单的栅极驱动，提供同类最佳的性能和出色的可靠性。
- 品牌名称
- ChipNobo(无边界)
- 商品型号
- TP65H070G4LSGB-TR-CN
- 商品编号
- C42436707
- 商品封装
- DFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 65.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.65V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 818pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 53pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ |
商品概述
TP65H070G4LSGB-TR-CN系列FET是混合型常关氮化镓场效应晶体管，其栅极驱动能力最强，反向电压降在所有市场宽禁带器件中最低。它们允许简单的栅极驱动，提供同类最佳的性能和出色的可靠性。
商品特性
- 栅极驱动能力强，阈值电压高，无需负栅极驱动，且具有高达±20V的重复输入电压耐受能力。
- 开关速度快，可降低交越损耗。
- 栅极电荷Qg低，栅极驱动简单，可在高频下实现最低的驱动器功耗。
- 在所有SiC和GaN FET中，关断状态反向导通时的正向压降VF最低，可在死区时间内实现低损耗。
- 反向恢复电荷Qrr低，适用于出色的硬开关桥式应用。
- 尖峰耐受电压高达800V，增强了可靠性。
应用领域
- 半桥降压/升压、图腾柱功率因数校正电路或逆变器电路。
- 高效率/高频LLC或其他软开关拓扑。