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IRF540N(UMW)
100V N沟道MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于各种应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF540N(UMW)
- 商品编号
- C42420617
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7892克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
IRF540N采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可应用于多种场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 30 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 40 mΩ
- 高密度单元设计,降低导通电阻Rdson
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源