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IRFR3410TR(UMW)
100V N沟道功率MOSFET
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRFR3410TR(UMW)
- 商品编号
- C42420620
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IRFR3410采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 30 A
- 当栅源电压VGS=10V时,导通电阻RDS(ON) < 30mΩ
- 高密度单元设计,可降低导通电阻Rdson
- 具备完整表征的雪崩电压和电流
- 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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