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CA-IS3417WT-Q1
车规级1700V输出关断电压、低EMI、输入光耦兼容的增强型绝缘高压隔离开关
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- 描述
- 是一款车规级低EMI、输入光耦兼容的增强型绝缘高压隔离开关，原边输入级为模拟二极管（e-diode），在保持光耦输入特性的同时还具有更好的一致性、长期稳定性和更高的可靠性，其传输特性不会像传统光MOS继电器一样随着使用时间的增加而出现光衰老化现象。另外相比传统的机械继电器，开关次数更多，使用寿命更长。副边集成了耐压高达1700V背靠背的SiCMOSFET，由于SiCMOSFET具有更好的高温特性和可靠性，使得该器件可以在更高环境温度下稳定运行。采用12脚宽体SOIC封装，引脚排布兼容主流光MOS继电器，原副边之间的隔离耐压高达5kVₚ₋ₚ 1分钟，支持在车规温度范围内（- 40℃到125℃）正常工作
- 品牌名称
- Chipanalog(川土微)
- 商品型号
- CA-IS3417WT-Q1
- 商品编号
- C42420726
- 商品封装
- SOIC-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.516克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 光耦仿真器(可替换光耦) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 无CTR依赖；输入侧无需供电 |
商品概述
CA-IS3417WT-Q1是一款车规级低EMI、输入光耦兼容的增强型绝缘高压隔离开关，原边输入级为模拟二极管（e-diode），在保持光耦输入特性的同时还具有更好的一致性、长期稳定性和更高的可靠性，其传输特性不会像传统光MOS继电器一样随着使用时间的增加而出现光衰老化现象。另外相比传统的机械继电器，CA-IS3417WT-Q1的开关次数更多，使用寿命更长。CA-IS3417WT-Q1的副边集成了耐压高达1700V背靠背的SiC MOSFET，由于SiC MOSFET具有更好的高温特性和可靠性，使得该器件可以在更高环境温度下稳定运行。CA-IS3417WT-Q1采用12脚宽体SOIC封装，引脚排布兼容主流光MOS继电器，原副边之间的隔离耐压高达5kV RMS @ 1分钟，支持在车规温度范围内（–40°C ~ 125°C）正常工作。
商品特性
- 常开器件（输入不加电输出关断）
- 输入光耦兼容，模拟光耦输入特性，无传统光耦的光衰老化特性，输入最高反向耐压5.5V
- 内部集成背靠背SiC MOSFET，输出关断电压高达1700V（最小值），输出关断漏电流低至1μA（最大值），输出导通电阻50Ω（典型值），支持高达50mA的输出导通电流，开启和关断时间小于300μs
- 高CMTI：±150kV/µs（典型值）
- 低EMI：满足CISPR25 Class 5标准（两层PCB）
- 符合AEC-Q100标准，Grade 1等级，TA = –40°C ~ 125°C
- 优异的隔离性能（认证中），符合UL 1577认证，1分钟5kV RMS隔离耐压，符合DIN EN IEC 60747 - 17 (VDE 0884 - 17)标准的7070V PK VIOTM和2121V PK VIORM
- 采用12引脚宽体SOIC封装，输入侧与输出侧爬电距离和电气间隙≥ 8mm，输出端口之间爬电距离和电气间隙≥ 5.84mm
应用领域
- 固态继电器
- 混动或者电动汽车
- 电池管理系统
- 车载充电机
- 储能系统