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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.8pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 具有低导通电阻 (RDS(on)) 的 P 沟道开关
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口、逻辑开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
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