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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.46nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
- 封装散热性能优异
应用领域
-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源