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FD2109S

180V半桥栅极驱动器

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描述
一款半桥栅极驱动电路芯片,设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。内置欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电源电压下工作而对功率管产生损坏。内置直通防止保护和死区时间,防止功率管发生直通,有效防止半桥功率器件损坏。
商品型号
FD2109S
商品编号
C42411224
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1188克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)5A
拉电流(IOH)5A
工作电压10V~18V
上升时间(tr)10ns
属性参数值
下降时间(tf)10ns
传播延迟 tpLH-
传播延迟 tpHL-
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.7V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)300uA
功能特性交错导通保护;死区时间控制

商品概述

FD2109S是一款半桥栅极驱动电路芯片,设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。

商品特性

  • 内置欠压保护功能,防止功率管在过低的电源电压下工作
  • 内置直通防止保护和死区时间,防止功率管发生直通
  • 悬浮电压 +180V
  • 电源工作电压范围:10V至18V
  • 输出电流 +5.0A / -5.0A
  • 3.3V/5V输入逻辑兼容
  • 具备VCC/VBS欠压保护
  • 输出与输入同相

应用领域

  • 电机驱动
  • DC-DC转换器

数据手册PDF