商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 84pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可将 RDS(ON) 降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。 该器件符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS，且具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 快速体二极管消除了零电压开关(ZVS)应用中对外部二极管的需求。
- 较低的栅极电荷简化了驱动要求。
- 较高的栅极电压阈值提高了抗干扰能力。
- 低导通电阻。
- 符合RoHS标准。
应用领域
- 电机控制
- 不间断电源
- 零电压开关开关电源(SMPS)