商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 63pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
该器件是具有极高单元密度的高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。 该器件符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 快速体二极管可消除零电压开关(ZVS)应用中对外部二极管的需求。
- 较低的栅极电荷简化了驱动要求
- 较高的栅极电压阈值增强了抗噪能力
- 低导通电阻
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电机控制
- 不间断电源
- 零电压开关开关电源(SMPS)