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BMF10N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
- 描述
- TO-220F封装 10N65
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMF10N65
- 商品编号
- C42402385
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.72nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
BMW65N076UC1是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 通过使用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计师带来了低电磁干扰（EMI）的优势，同时具有低开关损耗。
商品特性
- VDSS = 650 V
- ID = 10 A
- RDS(ON) @VGS = 10 V,典型值 = 0.79 Ω
- 快速开关
- 低栅极电荷
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路