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BMF12N60G
1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
- 描述
- TO-220F厚框架12N60
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMF12N60G
- 商品编号
- C42402387
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.765111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.107nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
70P03是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 漏源击穿电压(VDSS) = 600 V
- 漏极电流(ID) = 12 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻[RDS(ON)] 典型值 = 0.56 Ω
- 先进的平面工艺技术
- 快速开关
- 良好的电磁干扰(EMI)性能
应用领域
- 负载开关
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 电源管理