温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BMF12N65G
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
- 描述
- TO-220F厚框架12N65
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMF12N65G
- 商品编号
- C42402386
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 漏源极电压(VDSS) = 650 V
- 漏极电流(ID) = 12 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时的导通电阻[RDS(ON)],典型值 = 0.59 Ω
- 快速开关
- 低栅极电荷
应用领域
-适配器和充电器的电源开关电路